Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain

著者

和文:	木下治紀, 祢津誠晃, 三嶋裕一, 金澤徹, 宮本恭幸.
英文:	H.Kinoshita, S.Netsu, Y.mishima, T.Kanazawa, Y.Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年8月24日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)

開催地

和文:
英文:	Takayama