English
Home
各種検索
研究業績検索
論文・著書検索
( 詳細検索 )
特許検索
( 詳細検索 )
研究ハイライト検索
( 詳細検索 )
研究者検索
組織・担当から絞り込む
サポート
よくあるご質問(FAQ)
T2R2登録申請
学位論文登録について
組織単位データ出力について
(学内限定)
サポート・問合せ
T2R2について
T2R2とは?
運用指針
リーフレット
本文ファイルの公開について
関連リンク
東京工業大学
東京工業大学STARサーチ
国立情報学研究所(学術機関リポジトリ構築連携支援事業)
Home
>
ヘルプ
論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain
著者
和文:
木下 治紀
,
祢津 誠晃
,
三嶋 裕一
,
金澤 徹
,
宮本 恭幸
.
英文:
H.Kinoshita
,
S.Netsu
,
Y.mishima
,
T.Kanazawa
,
Y.Miyamoto
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2015年8月24日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
開催地
和文:
英文:
Takayama
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.