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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Steep subthreshold slope in InGaAs MOSFET 
著者
和文: 宮本 恭幸, M. Fujimatsu, K. Ohashi, 行待 篤志, 岩田 真次郎.  
英文: Y. Miyamoto, M. Fujimatsu, K. Ohashi, A. Yukimachi, S. Iwata.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2015年9月7日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:SemiconNano2015 
開催地
和文: 
英文:Hsinchu 

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