Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

著者

和文:	井手啓介, 菊池満帆, 太田雅人, 笹瀬雅人, 平松秀典, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫.
英文:	Keisuke Ide, Mitsuho Kikuchi, Masato Ota, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 56 pp. 03BB03-1 - 5

出版年月

2017年1月11日

出版者

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会議名称

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開催地

和文:
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DOI