半導体プロセスを応用した高信頼性微細配線技術の開発

神吉 剛司; 池田 淳也; 中田 義弘; 谷 元昭; 中村 友二

論文・著書情報

タイトル

和文:	半導体プロセスを応用した高信頼性微細配線技術の開発
英文:

著者

和文:	神吉剛司, 池田淳也, 中田義弘, 谷元昭, 中村友二.
英文:	神吉剛司, 池田淳也, 中田義弘, 谷元昭, Tomoji Nakamura.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	エレクトロニクス実装学会誌
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 18 No. 6 pp. 435-442

出版年月

2015年6月

出版者

和文:	The Japan Institute of Electronics Packaging
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

アブストラクト

2.1D/2.5D実装向けのチップ間を接続する微細配線について，高信頼性を目的としたわれわれの開発技術を紹介する。われわれは今までに，有機絶縁膜上にセミアディティブ法を用いて L/S = 1/1 μm までの微細なCu配線を形成し，その高信頼性について検証してきた。今回，半導体プロセスを応用し，高温高湿下においても Cu の腐食や拡散を防止し高信頼性を実現できるメタルキャップバリア配線構造を見出すことで，L/S = 1/1 μm配線の信頼性要求を満たす事に成功した。このキャップバリアは自身が酸化することで不動態膜を形成し，Cu配線の腐食を防止するメカニズムであり，CoWPを用いる事で，より高い信頼性を実現することが可能である。

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