Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks

著者

和文:	大澤一斗, 祢津誠晃, 木瀬信和, 野口真司, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 56 no. 4S 04CG05 2017

出版年月

2017年3月9日

出版者

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会議名称

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開催地

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