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論文・著書情報


タイトル
和文:[16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上 
英文: 
著者
和文: 岩田 真次郎, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸.  
英文: Shinjiro Iwata, Nobukazu Kise, Ryousuke Aonuma, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2017年3月16日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第64回応用物理学会春季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:横浜 
英文: 

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