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タイトル
和文:[16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性 
英文: 
著者
和文: 大澤 一斗, 野口 真司, 祢津 誠晃, 木瀬 信和, 宮本 恭幸.  
英文: Kazuto Ohsawa, Shinji Noguchi, Netsu Seikou, Nobukazu Kise, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2017年3月16日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第64回応用物理学会春季学術講演会 
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開催地
和文:横浜 
英文: 

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