English
Home
各種検索
研究業績検索
論文・著書検索
( 詳細検索 )
特許検索
( 詳細検索 )
研究ハイライト検索
( 詳細検索 )
研究者検索
組織・担当から絞り込む
サポート
よくあるご質問(FAQ)
T2R2登録申請
学位論文登録について
組織単位データ出力について
(学内限定)
サポート・問合せ
T2R2について
T2R2とは?
運用指針
リーフレット
本文ファイルの公開について
関連リンク
東京工業大学
東京工業大学STARサーチ
国立情報学研究所(学術機関リポジトリ構築連携支援事業)
Home
>
ヘルプ
論文・著書情報
タイトル
和文:
HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響
英文:
著者
和文:
大澤一斗
,
野口真司
,
祢津誠晃
,
木瀬信和
,
宮本恭幸
.
英文:
Kazuto Ohsawa
,
Shinji Noguchi
,
Netsu Seikou
,
Nobukazu Kise
,
YASUYUKI MIYAMOTO
.
言語
Japanese
掲載誌/書名
和文:
信学技報
英文:
巻, 号, ページ
vol. 116 no. 431 pp. 35-40
出版年月
2017年1月27日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
電子情報通信学会電子デバイス研究会
英文:
開催地
和文:
東京
英文:
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.