InAlGaN/GaN-HEMT device technologies for W-band high-power amplifier (Invited)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAlGaN/GaN-HEMT device technologies for W-band high-power amplifier (Invited)

著者

和文:	牧山剛三, S. Ozaki, Y. Niida, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, 宮本恭幸.
英文:	K. Makiyama, S. Ozaki, Y. Niida, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 31-34

出版年月

2016年8月4日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2016 Lester Eastman Conference (LEC)

開催地

和文:
英文:	Bethlehem

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