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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:High-Performance GaN-HEMT Technology for W-band Amplifier (Invited) 
著者
和文: 牧山 剛三, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, Y. Niida, Y. Kamada, M. Sato, K. Joshin, K. Watanabe, 宮本 恭幸.  
英文: K. Makiyama, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, Y. Niida, Y. Kamada, M. Sato, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2016年8月23日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:URSI AP-RASC 2016 
開催地
和文: 
英文:Seoul 

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