High-Power-Density InAlGaN/GaN-HEMT Technology for W-Band Amplifier (Invited)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High-Power-Density InAlGaN/GaN-HEMT Technology for W-Band Amplifier (Invited)

著者

和文:	牧山剛三, Y. Niida, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, 宮本恭幸.
英文:	K. Makiyama, Y. Niida, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)

開催地

和文:
英文:	Austin, Texas,

DOI