Mechanism of nanosecond laser drilling process of 4H-SiC for through substrate vias

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Mechanism of nanosecond laser drilling process of 4H-SiC for through substrate vias

著者

和文:	Kim Byunggi, 飯田亮一, Doan Doku, 伏信一慶.
英文:	B. Kim, R. Iida, D.H. Doan, K. Fushinobu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics A: Materials Science and Processing

巻, 号, ページ

出版年月

2017年5月3日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI