High speed GaN HEMT for power electronics (Invited)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High speed GaN HEMT for power electronics (Invited)

著者

和文:	宮本恭幸, 仲順大吾, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu.
英文:	Y. Miyamoto, D. Nakajun, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

C5.1

出版年月

2017年7月26日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	12th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS)

開催地

和文:
英文:	Strassburg