GaN HEMT Device Technology for W-band Power Amplifiers (Invited)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN HEMT Device Technology for W-band Power Amplifiers (Invited)

著者

和文:	牧山剛三, Y. Niida, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, 宮本恭幸.
英文:	K. Makiyama, Y. Niida, S. Ozaki, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

A6-1

出版年月

2017年5月17日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Compound Semiconductor Week 2017

開催地

和文:
英文:	Berlin