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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET 
著者
和文: 居駒 遼, 川那子 高暢, 河野行雄.  
英文: Ryo Ikoma, Takamasa Kawanago, Yukio Kawano.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2017年10月3日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:232nd ECS Meeting 
開催地
和文:ワシントン 
英文: 

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