InAlGaN/GaN-HEMT Device Technologies for High-Power-Density W-band Amplifiers (Invited)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAlGaN/GaN-HEMT Device Technologies for High-Power-Density W-band Amplifiers (Invited)

著者

和文:	牧山剛三, T. Ohki, S. Ozaki, Y. Niida, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, T. Ishiguro, K. Joshin, N. Nakamura, 宮本恭幸.
英文:	K. Makiyama, T. Ohki, S. Ozaki, Y. Niida, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, T. Ishiguro, K. Joshin, N. Nakamura, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

30-Nitride-3

出版年月

2017年9月30日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017 )

開催地

和文:
英文:	Nagoya