Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source

著者

和文:	金澤徹, 大澤一斗, 雨宮智宏, 木瀬信和, 青沼遼介, 宮本恭幸.
英文:	Toru Kanazawa, Kazuto Ohsawa, Tomohiro Amemiya, Nobukazu Kise, Ryosuke Aonuma, Yasuyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

We3C3.2

出版年月

2018年5月30日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Compound Semiconductor Week (CSW2018)

開催地

和文:
英文:	Boston