Fabrication and characterization of heteroepitaxial p-n junction diode composed of wide-gap oxide semiconductors p-ZnRh<sub>2</sub>O<sub>4</sub> / n-ZnO

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication and characterization of heteroepitaxial p-n junction diode composed of wide-gap oxide semiconductors p-ZnRh₂O₄ / n-ZnO

著者

和文:	Hiromichi Ohta, Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi, 神谷利夫, Masahiro Hirano, 細野秀雄.
英文:	Hiromichi Ohta, Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl.Phys.Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 82 No. 5 pp. 823-825

出版年月

2003年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: