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論文・著書情報
タイトル
和文:
Insulating conduction in Sn/Si(111): Possibility of a Mott insulating ground state and metallization/localization induced by carrier doping
英文:
Insulating conduction in Sn/Si(111): Possibility of a Mott insulating ground state and metallization/localization induced by carrier doping
著者
和文:
Hirahara, T, Komorida, T, Gu, Y, Nakamura, F, Idzuchi, H, Morikawa, H, Hasegawa, S,
平原徹
.
英文:
Hirahara, T, Komorida, T, Gu, Y, Nakamura, F, Idzuchi, H, Morikawa, H, Hasegawa, S,
Toru Hirahara
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
Physical Review B
英文:
Physical Review B
巻, 号, ページ
Vol. 80 No. 23
出版年月
2009年
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
公式リンク
http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000273228800115&KeyUID=WOS:000273228800115
DOI
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235419
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.