Device characteristics of rare-earth doped amorphous oxide semiconductors

論文・著書情報

タイトル

和文:	Device characteristics of rare-earth doped amorphous oxide semiconductors
英文:	Device characteristics of rare-earth doped amorphous oxide semiconductors

著者

和文:	T. Kamiya, K. Ide, K. Takenaka, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono.
英文:	T. Kamiya, K. Ide, K. Takenaka, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年9月25日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)
英文:	The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)

開催地

和文:	Tokyo
英文:	Tokyo