Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs with Top-Gate and Al2O3 Passivation under Low Thermal Budget for Large Area Integration

論文・著書情報

タイトル

和文:	Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs with Top-Gate and Al2O3 Passivation under Low Thermal Budget for Large Area Integration
英文:	Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs with Top-Gate and Al2O3 Passivation under Low Thermal Budget for Large Area Integration

著者

和文:	松浦賢太朗, 清水淳一, M. Toyama, 大橋匠, 宗田伊理也, S. Ishihara, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整.
英文:	K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
英文:	IEEE Journal of the Electron Devices Society

巻, 号, ページ

Vol. 6 pp. 1251 - 1257

出版年月

2018年11月23日

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

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開催地

和文:
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