Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO 2 from (111) Si micro channel areas

論文・著書情報

タイトル

和文:	Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO 2 from (111) Si micro channel areas
英文:	Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO 2 from (111) Si micro channel areas

著者

和文:	Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Yoshiaki Nakano, Shinichi Takagi.
英文:	Takuya Hoshii, Momoko Deura, Masakazu Sugiyama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Yoshiaki Nakano, Shinichi Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	physica status solidi (c)
英文:	physica status solidi (c)

巻, 号, ページ

Vol. 5 No. 9 pp. 2733-2735

出版年月

2008年7月

出版者

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会議名称

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開催地

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