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タイトル
和文:Characterization of β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Schottky barrier diodes 
英文:Characterization of β-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Schottky barrier diodes 
著者
和文: Kaneko, T., Muneta, I., Hoshii, T., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Kakushima, K., 星井拓也.  
英文: Kaneko, T., Muneta, I., Hoshii, T., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Kakushima, K., Takuya Hoshii.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018 
英文:2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018 
巻, 号, ページ Vol. 2018-January        pp. 1-3
出版年月 2018年 
出版者
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会議名称
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開催地
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公式リンク http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85049755595&partnerID=MN8TOARS
 
DOI https://doi.org/10.1109/IWJT.2018.8330290

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