Source/drain formation by using epitaxial regrowth of N+InP for III-V nmosfets

論文・著書情報

タイトル

和文:	Source/drain formation by using epitaxial regrowth of N+InP for III-V nmosfets
英文:	Source/drain formation by using epitaxial regrowth of N+InP for III-V nmosfets

著者

和文:	Takenaka, M., Takeda, K., Hoshii, T., Tanemura, T., Sugiyama, M., Nakano, Y., Takagi, S., 星井拓也.
英文:	Takenaka, M., Takeda, K., Hoshii, T., Tanemura, T., Sugiyama, M., Nakano, Y., Takagi, S., Takuya Hoshii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
英文:	Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

巻, 号, ページ

pp. 111-114

出版年月

2009年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI