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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low Vce(sat) IGBT 
著者
和文: 角嶋 邦之, 星井 拓也, 筒井 一生, A. Nakajima, S. Nishizawa, 若林 整, 宗田 伊理也, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, 大橋 弘通, 岩井 洋.  
英文: K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         p. 268
出版年月 2016年12月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:62th International Electron Devices Meeting (IEDM2016) 
開催地
和文: 
英文:San Francisco 

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