C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

論文・著書情報

タイトル

和文:	C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
英文:

著者

和文:	山口裕太郎, 林一夫, 大石敏之, 大塚浩志, 小山英寿, 加茂宣卓, 山中宏治, 中山正敏, 宮本恭幸.
英文:	山口裕太郎, 林一夫, 大石敏之, 大塚浩志, 小山英寿, 加茂宣卓, 山中宏治, 中山正敏, YASUYUKI MIYAMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2012 No. 2 pp. 62

出版年月

2012年8月28日

出版者

和文:	一般社団法人電子情報通信学会
英文:

会議名称

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開催地

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