VCSELの高効率化に向けたの深い位置におけるイオン注入量子井戸混晶化条件に関する研究

論文・著書情報

タイトル

和文:	VCSELの高効率化に向けたの深い位置におけるイオン注入量子井戸混晶化条件に関する研究
英文:	Characterization of ion implantation quantum well intermixing at deep position for high efficiency VCSEL

著者

和文:	堀切顕徳, 宮本智之.
英文:	Kentoku Horikiri, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年3月18日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第65回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 65th JSAP Spring Meeting, 2018

開催地

和文:
英文:	Tokyo