Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures

著者

和文:	後藤高寛, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda.
英文:	Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

54 21201

出版年月

2015年1月19日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI