Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials

著者

和文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, Munetaka Noguchi, 後藤高寛, Kouichi Nishi, Minsoo Kim, Mitsuru Takenaka.
英文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, Munetaka Noguchi, Takahiro Gotow, Kouichi Nishi, Minsoo Kim, Mitsuru Takenaka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年12月3日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Electron Device Meeting (IEDM)

開催地

和文:
英文:	San Francisco, CA

DOI