III-V/Ge-based tunneling MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	III-V/Ge-based tunneling MOSFET

著者

和文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, 後藤高寛, Kouichi Nishi, Taeeon Bae, Takumi Katoh, Ryo Matsumura, Ryotaro Takaguchi, Kimihiko Kato, Mitsuru Takenaka.
英文:	Shinichi Takagi, Daehwan Ahn, Takahiro Gotow, Kouichi Nishi, Taeeon Bae, Takumi Katoh, Ryo Matsumura, Ryotaro Takaguchi, Kimihiko Kato, Mitsuru Takenaka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2017年10月19日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2017 Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S)

開催地

和文:
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