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論文・著書情報


タイトル
和文:量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討 
英文: 
著者
和文: 野上 直哉, 福田 浩一, 宮本 恭幸.  
英文: Naoya Nogami, Koichi Fukuda, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         9p-S221-4
出版年月 2019年3月9日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第66回応用物理学会春季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:東京 大岡山 
英文: 

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