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論文・著書情報


タイトル
和文:Al2O3/ZrO2ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善 
英文: 
著者
和文: 青沼 遼介, 木瀬 信和, 宮本 恭幸.  
英文: Ryousuke Aonuma, Nobukazu Kise, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         21p-331-7
出版年月 2018年9月21日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第79回応用物理学会秋季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:名古屋 
英文: 

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