Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響 
英文: 
著者
和文: 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸.  
英文: Nobukazu Kise, Ryousuke Aonuma, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         18p-C302-12
出版年月 2018年3月18日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第65回応用物理学会春季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:東京 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.