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論文・著書情報


タイトル
和文:GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける界面準位の導入による性能の劣化 
英文: 
著者
和文: 岩田 真次郎, 大橋 一水, 祢津 誠晃, 福田 浩一, 宮本 恭幸.  
英文: Shinjiro Iwata, Kazumi Ohashi, Netsu Seikou, Koichi Fukuda, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         16a-1C-6
出版年月 2018年9月16日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第76回応用物理学会秋季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:名古屋 
英文: 

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