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論文・著書情報


タイトル
和文:再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス 
英文: 
著者
和文: 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸.  
英文: Haruki Kinoshita, Toru Kanazawa, Netsu Seikou, Yuichi Mishima, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         16a-1C-9
出版年月 2015年9月16日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第76回応用物理学会秋季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:名古屋 
英文: 

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