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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FET with a subthreshold slope of 56 mV/dec at room temperature
著者
和文:
青沼 遼介
,
木瀬 信和
,
宮本 恭幸
.
英文:
R. Aonuma
,
N. Kise
,
Y. Miyamoto
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
Jpn. J. Appl. Phys.
巻, 号, ページ
58, SBBA08 (2019)
出版年月
2019年3月14日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
DOI
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab027a
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.