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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs
著者
和文:
宮本 恭幸
,
金澤 徹
,
木瀬 信和
, H. Kinoshita,
大澤 一斗
.
英文:
Y. Miyamoto
,
T. Kanazawa
,
N. Kise
, H. Kinoshita,
K. Ohsawa
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
J. Crystal Growth
巻, 号, ページ
vol. 522 (2019)11-15
出版年月
2019年9月15日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
公式リンク
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.06.014
©2007
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