Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs 
著者
和文: 宮本 恭幸, 金澤 徹, 木瀬 信和, H. Kinoshita, 大澤 一斗.  
英文: Y. Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, K. Ohsawa.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:J. Crystal Growth 
巻, 号, ページ vol. 522        （2019）11-15
出版年月 2019年9月15日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
公式リンク https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.06.014
 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.