Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET

著者

和文:	宮本恭幸, 金澤徹, 木瀬信和, 木下治紀, 大澤一斗.
英文:	Y.Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, Kazuto Ohsawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P2-32

出版年月

2018年6月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)

開催地

和文:	奈良
英文:	Nara