p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric

著者

和文:	張文倫, 祢津誠晃, 金澤徹, 雨宮智宏, 宮本恭幸.
英文:	W. Zhang, S. Netsu, T.Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

M-7-03

出版年月

2018年9月13日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)

開催地

和文:
英文:	Tokyo