Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator

著者

和文:	青沼遼介, 木瀬信和, 宮本恭幸.
英文:	R. Aonuma, N. Kise, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

PS-1-14

出版年月

2018年9月13日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)

開催地

和文:
英文:	Tokyo