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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Prospective New Fuctionality of Monolithic GaN HEMT Integrated Circuits 
著者
和文: 宮本 恭幸.  
英文: Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         ED-III-1
出版年月 2018年11月20日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 
開催地
和文: 
英文:Sendai 

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