GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters

著者

和文:	宮本恭幸, 木瀬信和, 青沼遼介.
英文:	Y. Miyamoto, N. Kise, R. Aonuma.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年11月29日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2018 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)

開催地

和文:
英文:	Kohara Coast, Hawaii