Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer

著者

和文:	宮本恭幸.
英文:	Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

B7-4

出版年月

2019年7月3日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2019)

開催地

和文:
英文:	Busa