Characterization of interface state density of three-dimensional Si nanostructure by charge pumping measurement

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Characterization of interface state density of three-dimensional Si nanostructure by charge pumping measurement

著者

和文:	Dou, C., Shoji, T., Nakajima, K., Kakushima, K., Ahmet, P., Kataoka, Y., Nishiyama, A., Sugii, N., 若林整, Tsutsui, K., Natori, K., Iwai, H..
英文:	Dou, C., Shoji, T., Nakajima, K., Kakushima, K., Ahmet, P., Kataoka, Y., Nishiyama, A., Sugii, N., Hitoshi Wakabayashi, Tsutsui, K., Natori, K., Iwai, H..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 54 No. 4 pp. 725-729

出版年月

2014年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI