A resistive switching device based on breakdown and anodic reoxidization of thin SiO2on Si-based electrodes using CeOxbuffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A resistive switching device based on breakdown and anodic reoxidization of thin SiO2on Si-based electrodes using CeOxbuffer layer

著者

和文:	Hadi, M.S., Kano, S., Kakushima, K., Kataoka, Y., Nishiyama, A., Sugii, N., 若林整, Tsutsui, K., Natori, K., Iwai, H..
英文:	Hadi, M.S., Kano, S., Kakushima, K., Kataoka, Y., Nishiyama, A., Sugii, N., Hitoshi Wakabayashi, Tsutsui, K., Natori, K., Iwai, H..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Semiconductor Science and Technology

巻, 号, ページ

Vol. 29 No. 11

出版年月

2014年

出版者

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会議名称

和文:
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開催地

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DOI