三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

論文・著書情報

タイトル

和文:	三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
英文:

著者

和文:	筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋.
英文:	KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takuya Hoshii, 中島昭, 西澤伸一, Hitoshi Wakabayashi, Iriya Muneta, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2017 No. 74 pp. 1-6

出版年月

2017年11月21日

出版者

和文:	電気学会
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: