5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス)

論文・著書情報

タイトル

和文:	5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス)
英文:

著者

和文:	更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎.
英文:	更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takuya Hoshii, 古川和由, MASAHIRO WATANABE, 執行直之, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 118 No. 429 pp. 39-44

出版年月

2019年8月

出版者

和文:	電子情報通信学会
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: