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論文・著書情報


タイトル
和文:High-k/III-V 界面の組成・構造とMIS特性との関係 
英文: 
著者
和文: 安田 哲二, 宮田 典幸, 卜部 友二, 石井 裕之, 板谷 太郎, 前田 辰郎, 山田 永, 福原 昇, 秦 雅彦, 大竹 晃浩, 星井 拓也, 横山 正史, 竹中 充, 高木 信一.  
英文: 安田 哲二, 宮田 典幸, 卜部 友二, 石井 裕之, 板谷 太郎, 前田 辰郎, 山田 永, 福原 昇, 秦 雅彦, 大竹 晃浩, Takuya Hoshii, 横山 正史, 竹中 充, 高木 信一.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 
英文: 
巻, 号, ページ Vol. 110    No. 90    pp. 49-54
出版年月 2010年5月 
出版者
和文:一般社団法人電子情報通信学会 
英文: 
会議名称
和文: 
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開催地
和文: 
英文: 
アブストラクト ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する.

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