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タイトル
和文:3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low V<inf>ce(sat)</inf> 
英文:3D Scaling for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Low Vce(sat) 
著者
和文: 筒井 一生, 角嶋 邦之, 星井 拓也, A. Nakajima, S. Nishizawa, 若林 整, 宗田 伊理也, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, 大橋 弘通, 岩井 洋.  
英文: K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:Proceedings of International Conference on ASIC 
英文:Proceedings of International Conference on ASIC 
巻, 号, ページ Vol. 2017-October        pp. 1137-1140
出版年月 2017年10月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:ASICON2017 
開催地
和文: 
英文:Guiyang 
公式リンク http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85044718318&partnerID=MN8TOARS
 
DOI https://doi.org/10.1109/ASICON.2017.8252681

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