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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:GaInSb n-Channel HEMTs with High AlInSb Barrier 
著者
和文: K. Osawa, T. Iwaki, Y. Endoh, M. Hiraoka, N. Kishimoto, T. Hayashi, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, 後藤 高寛, A. Endoh, H. I. Fujishiro.  
英文: K. Osawa, T. Iwaki, Y. Endoh, M. Hiraoka, N. Kishimoto, T. Hayashi, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, T. Gotow, A. Endoh, H. I. Fujishiro.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2019年8月26日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 
開催地
和文: 
英文: 

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